今年第二季度，國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)正式發(fā)布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質外延片標準》(Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer)。此標準由瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司主導編寫，由中國科學院半導體研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、Wolfspeed等十二家單位參與編寫，歷時近三年時間。

　　國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)是全球性的產業(yè)協(xié)會，致力于國際標準的制定，積極促進微電子、平面顯示器及太陽能光電等產業(yè)供應鏈的整體發(fā)展，代表著全球各地產業(yè)的呼聲和需求，是行業(yè)發(fā)展趨勢的風向標。《4H-SiC同質外延片標準》這一國際標準的發(fā)布實施，將在規(guī)范國際碳化硅半導體外延行業(yè)有序發(fā)展，降低國際貿易協(xié)作成本，加速新技術在全球的推廣等方面具有深遠的意義。

　　對于瀚天天成而言，成功主導編寫碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準意義重大，不僅能夠進一步樹立瀚天天成在碳化硅半導體行業(yè)的領導品牌地位，進一步夯實行業(yè)話語權與核心競爭力，而且有助于瀚天天成與行業(yè)內的上下游企業(yè)單位緊密合作，在共同推動國際碳化硅半導體行業(yè)的穩(wěn)健進步和創(chuàng)新發(fā)展方面做出應有的貢獻。

　　除了此次發(fā)布實施的國際標準外，瀚天天成自2011年成立以來還成功主導編寫了2項國內團體標準，參與編寫了7項行業(yè)標準和團體標準(其中1項行業(yè)標準和3項團體標準已經發(fā)布)。